Công nghệ HJT

📅 Ngày xuất bản: 22/02/2025

Công Nghệ HJT hay  Công nghệ Heterojunction (HJT):  Pháp Đột Phá Cho Pin Mặt Trời Hiệu Suất Cao.

1. Công Nghệ HJT

Công nghệ Heterojunction (HJT) là thế hệ tiên tiến nhất của tế bào quang điện, kết hợp silicon đơn tinh thể (c-Si) và silicon vô định hình (a-Si) để tạo ra cấu trúc dị thể (heterojunction). Với hiệu suất vượt trội, độ bền cao và quy trình sản xuất tối ưu, HJT đang định hình tương lai của ngành năng lượng mặt trời, hướng đến mục tiêu sản xuất điện sạch, bền vững.

2. Cấu Tạo Tế Bào HJT

Tế bào HJT có thiết kế hai mặt, cho phép hấp thụ ánh sáng từ cả hai phía. Quy trình sản xuất gồm các bước chính:

• Lớp nền N-type c-Si: Tấm wafer silicon đơn tinh thể loại N được làm sạch và tạo kết cấu bề mặt (texturing) để tăng khả năng hấp thụ ánh sáng.
• Lớp phủ a-Si:
  • Mặt trước: Phủ lớp a-Si bán dẫn nội tại (i-a-Si) làm lớp passivation, sau đó là lớp a-Si loại P bằng công nghệ PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition).
  • Mặt sau: Phủ lớp i-a-Si và a-Si loại N.
• Lớp dẫn điện trong suốt (TCO): Sử dụng công nghệ PVD magnetron sputtering để phủ oxit dẫn điện (như ITO) lên cả hai mặt, giúp truyền dẫn điện tử và giảm phản xạ ánh sáng.
• Điện cực kim loại: Tạo mạch lưới kim loại (thường bằng bạc) bằng công nghệ metallization tiên tiến, giảm tổn thất điện trở.

Cấu tạo pin công nhệ HJT

Có thể bạn quang tâm:

• Video Qui trình sản xuất pin, tấm pin năng lượng.
• Sản phẩm Bff: Cảm biến nhiệt độ, độ ẫm, v.v.
• Cảm biến tại Youtube Red Ai giới thiệu.

3. Nguyên Lý Hoạt Động

• Hấp thụ ánh sách: Ánh sáng xuyên qua lớp TCO và a-Si, kích thích giải phóng điện tử trong lớp c-Si.
• Tách điện tử – lỗ trống: Lớp a-Si loại P thu điện tử, lớp a-Si loại N thu lỗ trống, nhờ chênh lệch tính chất điện giữa các vật liệu.
• Giảm tái hợp: Lớp passivation i-a-Si ngăn điện tử và lỗ trống tái hợp, tăng hiệu suất thu thập điện tích.

Nhờ cấu trúc dị thể, tế bào HJT đạt hiệu suất chuyển đổi >24% (trên tế bào) và >21.5% (trên module), cao hơn 2–3% so với công nghệ PERC truyền thống.

Nguyên lý hoạt động pin công nghệ HJT

4. Ưu Điểm Vượt Trội

4.1 Hiệu suất cao:

• • Hệ số nhiệt thấp (-0.24%/°C): Duy trì sản lượng ổn định ở nhiệt độ cao (ví dụ: 85°C).
  • Tỷ lệ hai mặt 85%: Tận dụng ánh sáng phản xạ từ mặt đất hoặc môi trường xung quanh, tăng sản lượng điện 10–25%.

4.2 Độ bền vượt trội:

• • Không suy thoái LID: Sử dụng wafer N-type không chứa cặp Boron-Oxy (B-O), loại bỏ hiện tượng suy giảm do ánh sáng.
  • Chống PID hiệu quả: Cấu trúc không tiếp xúc trực tiếp giữa silicon và kim loại giảm rủi ro suy thoái do điện áp cao.

4.3 Tối ưu chi phí:

• • Quy trình sản xuất đơn giản: Chỉ 4–5 bước chính (so với 9–10 bước của PERC), giảm tiêu hao nguyên liệu và thời gian sản xuất.
  • Tuổi thọ >30 năm: Giảm chi phí bảo trì và tăng lợi tức đầu tư (ROI).

4.4 Thân thiện môi trường:

• • Tiêu thụ ít năng lượng hơn 20% trong sản xuất, giảm lượng khí thải CO2.

Ưu điểm pin công nghệ HJT

5. Ứng Dụng Thực Tiễn

• Trang trại năng lượng quy mô lớn: Tăng mật độ công suất nhờ hiệu suất cao, phù hợp cho các dự án đất hạn chế.
• Hệ thống mái nhà dân dụng và công nghiệp: Tối ưu hóa diện tích lắp đặt, phát điện ổn định ngay cả ở vùng khí hậu nóng.
• Công trình tích hợp (BIPV): Ứng dụng làm vật liệu xây dựng (mái nhà, mặt tiền) nhờ độ mỏng và tính thẩm mỹ.
• Dự án năng lượng sa mạc: Hoạt động hiệu quả trong điều kiện nhiệt độ khắc nghiệt và cường độ bức xạ cao.

6. Xu Hướng Phát Triển

• Nâng cao hiệu suất: Mục tiêu đạt 26–28% trên tế bào bằng cách kết hợp công nghệ TOPCon hoặc perovskite.
• Mở rộng quy mô sản xuất: Các nhà máy hàng đầu như REC Group và Meyer Burger đang tăng công suất sản xuất module HJT lên 10–15 GW/năm.
• Giảm giá thành: Tối ưu hóa chi phí wafer, mực in bạc và vật liệu TCO để cạnh tranh với công nghệ PERC.

7. Kết Luận

Công nghệ HJT không chỉ là bước nhảy vọt về kỹ thuật mà còn là chìa khóa giúp ngành năng lượng mặt trời tiến gần hơn đến tính bền vững và hiệu quả kinh tế. Với ưu thế vượt trội về hiệu suất, độ bền và khả năng ứng dụng, HJT dự kiến chiếm 25–30% thị phần pin mặt trời toàn cầu vào năm 2030, góp phần quan trọng vào hành trình chuyển đổi năng lượng sạch của thế giới.

Hy vọng bài viết giới thiệu “Công nghệ HJT” đã giúp bạn hiểu biết thêm về công nghệ mới cho pin, tấm thu năng lượng mặt trời.  Nó sẽ giúp bạn có được quyết định đầu tư đúng đắng khi muốn đầu tư thiết bị năng lượng mặt trời.

Ý kiến đóng góp xin vui lòng gữi về địa chỉ sau:

• Điện thoại / Zalo: 0971.544.459 Mr.Hải (Kỹ sư Kỹ thuật Cơ Điện)
• Email: hai@bff-tech.com / leeredsea@gmail.com
• Web: measure-bff.com
• Công ty TNHH Giải Pháp Đo Lường BFF
• Địa chỉ: 118 đường 14C, Lovera Park, Đường Trịnh Quang Nghị, Xã Phong Phú, Bình Chánh, TP. HCM.